未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

非揮發性記憶體的製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 56,200

4.其他應敘明事項:

本發明提供一種非揮發性記憶體的製造方法。提供包括第一區與第二區的基底，並對

第一區進行第一圖案化步驟以在第一區中形成多個閘極堆疊結構。之後，形成覆蓋每

一閘極堆疊結構的側壁與上表面之第一側壁氧化層，並於第一側壁氧化層上形成保護

層。接著，對第二區進行離子植入製程，再對第二區進行第二圖案化步驟以在第二區

中形成多個閘極結構。然後，形成覆蓋每一閘極結構的側壁之第二側壁氧化層。

<摘錄公開資訊觀測站>