未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

半導體元件的製作方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/08

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 161,780

4.其他應敘明事項:

本發明提出了一種半導體元件的製作方法，其步驟包含：在基底上形成一閘極堆疊

結構，其包含一浮動閘、一閘極間介電層、一控制閘、以及一金屬層，在閘極堆疊

結構上形成一共形襯層，在襯層上覆蓋一遮罩層，其中遮罩層低於金屬層使得部分

襯層裸露而出，以及進行一氮化步驟將裸露的襯層轉化成氮化襯層，使得閘極堆疊

結構中至少包含金屬層的部分會為氮化襯層所覆蓋。

<摘錄公開資訊觀測站>