未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

非揮發性記憶體的製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/11

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 215,363

4.其他應敘明事項:

本發明提供一種非揮發性記憶體的製造方法。提供包括第一區與第二區的基底，

並對第一區進行第一圖案化步驟以在第一區中形成多個閘極堆疊結構。之後，

形成覆蓋每一閘極堆疊結構的側壁與上表面之第一側壁氧化層，並於第一側壁

氧化層上形成保護層。接著，對第二區進行離子植入製程，再對第二區進行第二

圖案化步驟以在第二區中形成多個閘極結構。然後，形成覆蓋每一閘極結構的側

壁之第二側壁氧化層。

<摘錄公開資訊觀測站>