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公告本公司取得美國專利局核發US 9461156專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

記憶體結構及其操作方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/04

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 246,632

4.其他應敘明事項:

本發明提出一種記憶體結構及其操作方法。記憶體結構包括雙向三極體與記憶胞。

記憶胞電性連接於雙向三極體。

<摘錄公開資訊觀測站>

2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9437600專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9466605專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9424934專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9461156專利】
2016/12/26【DRAM三雄盯跳槽陸廠員工】
2016/12/21【投效大陸紫光?蔡力行否認】
2016/12/21【台灣半導體有優勢及競爭力力晶黃崇仁：不必怕大陸挖角】
2016/12/21【黃崇仁談陸挖角…免驚】
2016/11/18【價格漲勢不停全球DRAM Q3營收季增15.8% 】
2016/10/6【應材余定陸:OLED加速設備成長】
2016/10/6【力晶集團攻精品電商】
2016/9/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9384844專利】
2016/9/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9390931專利】
2016/9/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9391107專利】

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