未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

金屬氧化物金屬電容器電路及其半導體裝置

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/01

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 269,349

4.其他應敘明事項:

本發明提供一種使用形成於基板上的金屬電極藉由多個電容器形成的電容器電路，

以使得與習知技術相比可以更精確地調整電容器的電容。MOM電容器包含分別藉由

透過基板上的絕緣薄膜面向彼此的多對金屬電極形成的多個MOM（金屬氧化物金屬）

電容器。MOM電容器電路是以MOM電容器的金屬電極對中的每一者經由連接導體連接

至第一端子及第二端子的方式並藉由至少一個電容器元件形成；以及至少一個開關

元件，其連接至所述多個金屬電極以及第一端子及第二端子中的至少一者，其中所

述MOM電容器電路的電容是藉由接通/斷開所述開關元件而進行調整。

<摘錄公開資訊觀測站>