未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

ＮＯＲ型快閃記憶體及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 48,200

4.其他應敘明事項:

一種NOR型快閃記憶體，包括設置於基底上的記憶胞。記憶胞，包括：堆疊閘極結構、

輔助閘極、輔助閘極介電層、淡摻雜區、汲極區。堆疊閘極結構設置於基底上。輔助

閘極設置於堆疊閘極結構的第一側的基底上。輔助閘極介電層設置於輔助閘極與基底

之間。淡摻雜區設置於輔助閘極下方的基底中，其中藉由於輔助閘極施加一電壓而於

輔助閘極下方的基底中形成反轉層以作為源極區。汲極區，設置於堆疊閘極結構的第　

二側的基底中，第一側與第二側相對。

<摘錄公開資訊觀測站>