未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

半導體元件及其製作方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 73,100

4.其他應敘明事項:

本發明揭露一種製作半導體元件的方法。首先提供一基底，該基底上具有一第一閘

極層、一第一介電層以及一淺溝隔離(shallow trench isolation,STI)環繞該基底、

該第一閘極層及該第一介電層。然後去除該第一介電層、形成一第一側壁子於第一閘

極層上方之淺溝隔離側壁以及利用第一側壁子為遮罩去除部分第一閘極層及部分基底

以形成一第一開口並同時定義出一第一閘極結構及一第二閘極結構。

<摘錄公開資訊觀測站>