未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

電阻式隨機存取記憶體及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 63,200

4.其他應敘明事項:

一種電阻式隨機存取記憶體，包括基底、介電層與至少一記憶胞串。介電層設置於

基底上。記憶胞串包括多個記憶胞與多個第二介層窗。記憶胞垂直相鄰地設置於介

電層中，且各個記憶胞包括第一介層窗、二導線與二可變電阻結構。導線分別設置

於第一介層窗的兩側。可變電阻結構分別設置於第一介層窗與導線之間。在垂直相

鄰的兩個記憶胞中，位於上方的記憶胞的可變電阻結構與位於下方的記憶胞的可變

電阻結構彼此隔離。第二介層窗分別設置於第一介層窗下方的介電層中並連接於第

一介層窗，且垂直相鄰的兩個第一介層窗藉由第二介層窗進行連接。

<摘錄公開資訊觀測站>