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汎銓提升TEM試片製備能力

　　半導體下半年景氣出現雜音，但各晶圓廠在先進製程持續投入研發，對專精於材料分析及IC電路修補的汎銓科技（MSS）而言，對未來樂觀看待。以目前狀況，全年營收不僅將呈二位數增長，甚至可望出現逾30% 的佳績。
　　機台最先進
　　獲客戶信賴
　　在16奈米以下製程技術的材料分析與IC電路修補，技術門檻之高不難想見，汎銓總經理柳紀綸表示，汎銓擁有最優秀的工程團隊，穩定度與經驗累積領先同業，機台也最先進；「以最好的技術、設備及服務來滿足客戶需求的經營定位，獲得客戶信賴。」
　　汎銓以全面服務來滿足客戶需求，今年資本支出仍超過一億元，是國內業界唯一同時擁有日系及歐美系TEM設備的專業分析服務公司。
　　材料分析主管周學良表示，半導體製程研發腳步演進微縮至20╱16╱10nm，元件尺寸不斷變小，電晶體從平面式轉變到3D，使得TEM穿透式電子顯微鏡（Transmission electron microscopy）試片製備難度越來越高，TEM試片厚度需小於15nm以下。
　　汎銓不斷提升TEM試片製備能力及強化TEM成份（元素）分析能力，TEM試片厚度製備能力已達15奈米以下，是先進製程開發的最佳後盾。他表示，以去年引進FEI OSIRIS TEM為例，配備四個對稱的EDS SDD（Silicon drift detectors）偵測器，取得更低的元素偵測極限、更佳的mapping及 linescan空間解析度，以及更好mapping的訊噪比，並提供更穩定的元素半定量分析，為國內先進製程客戶在TEM EDS成分分析唯一認可的平台。
　　IC電路修補
　　良率大躍進
　　IC電路修補主管李基榮表示，為提供IC設計大廠在尖端IC電路修補的技術支援，2013年底汎銓率先引進最先進的聚焦離子束機台FEI V400ACE，工程人員以熟練的IC電路修補技術，有能力切斷或連接28╱20╱16nm製程IC至最深層極小Ml導線。
　　他表示，尖端28╱20╱16nm IC電路的修補技術有二大挑戰：線寬尺寸小與介電層（IMD╱ILD, inter metal dielectric╱inter layer dielectric）結構與材料脆弱。因應線寬尺寸小，需要高精密定位與取得清楚的操作影像；介電層結構與材料脆弱，離子束蝕刻或沈積都容易造成打擊損傷，造成元件特性改變或阻抗改變，IC無法正常運作。
　　汎銓具備豐富經驗，輔以先進設備，如虎添翼，多次成功完成客戶原以為無法修補的案件，良率大幅上升，有效縮短IC設計debug時間，贏得好評。
　　柳紀綸指出，維持員工士氣與穩定性，才能在技術專業領先同業，贏得客戶滿意度，為汎銓永續經營的不二法門；在開發材料分析及IC電路修補新世代製程分析技術時，更率先投資最先進機台。汎銓對於「員工高向心力、高穩定性、離職率低於同業、機密資訊管控獲國內大廠肯定」相當自豪；人員經驗累積與技術傳承是不變的策略，為汎銓主要的競爭優勢。<摘錄經濟>

2016/11/17【幸福企業汎銓打破低薪不景氣】
2016/9/7【汎銓半導體材料分析國安等級服務】
2016/3/29【汎銓TEM液態樣品檢驗獨步市場】
2015/9/2【汎銓提升TEM試片製備能力】
2015/4/24【汎銓搶進半導體產業成績亮麗】
2014/10/28【汎銓TEM設備晶圓檢測利器】
2014/9/3【汎銓專精材料分析建置先進TEM設備】
2014/3/21【汎銓完成20奈米IC電路修補】
2013/9/6【汎銓TEM分析能力與世界級實驗室同一水準服務技術及時效領先成】
2013/5/21【需求強勁汎銓擴廠設備升級】
2012/9/5【汎銓半導體材料分析專家】
2012/6/19【汎銓科技強化專業領先同業】
2012/3/6【汎銓專注先進製程檢測修補技術領先同業】
2011/10/5【汎銓專精材枓分析與電路修補】

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