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公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3080644專

公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3080644專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/09/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 79,1324.其他應敘明事項:一種非揮發性記憶體，包括基底、第一堆疊結構、第二堆疊結構、第五導體層、第一摻雜區與第二摻雜區。第一堆疊結構包括第一導體層與第二導體層。第一導體層與第二導體層依序堆疊於基底上且相互隔離。第二堆疊結構與第一堆疊結構分離設置，且包括第三導體層與第四導體層。第三導體層與第四導體層依序堆疊於基底上且相互連接。第五導體層設置於第一堆疊結構遠離第二堆疊結構的一側的基底上。第一摻雜區設置於第五導體層下方的基底中。第二摻雜區設置於第二堆疊結構遠離第一堆疊結構的一側的基底中。
<摘錄公開資訊觀測站>

2018/12/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3080648專】
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2018/12/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3090384專】
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2018/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I639925專利】
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