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公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I645405專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體記憶裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/12/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 86,9004.其他應敘明事項:半導體記憶裝置,於通常讀出或寫入模式與自動再新模式中進行選擇動作,包括:感測放大器,自記憶元件讀出資料;第1開關元件,於第1期間,在將作為過驅動電壓的第1電源電壓連接於第1電源中間節點後,於第2期間,將作為陣列電壓的第2電源電壓連接於第1電源中間節點;第2開關元件,於感測放大器的驅動時將第4電源電壓連接於感測放大器的第2電源中間節點;第1電容器,連接於過驅動電壓且對過驅動電壓進行充電;第3開關元件,於自動再新模式時導通;及電壓產生部件,產生第3電源電壓並經由第3開關元件與第1電源電壓並聯地施加。
<摘錄公開資訊觀測站>

2018/12/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3123040專
2018/12/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3092137專
2018/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I639925專利
2018/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I645405專利
2018/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I640011專利
2018/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I639886專利
2018/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I639847專利
2018/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I645554專利
2018/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I639884專利
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