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公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3125730專

公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3125730專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:浮置閘極與非揮發性記憶胞的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/10/263.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 64,9844.其他應敘明事項:一種浮置閘極的製造方法，包括下列步驟。提供具有多個隔離結構的基底，隔離結構的頂面高於基底的頂面。於基底上形成第一導體層。於第一導體層上形成犧牲層。移除部份犧牲層，而保留隔離結構之間的第一導體層上的犧牲層。以犧牲層為罩幕，移除部份第一導體層，以於相鄰的隔離結構之間形成導體結構。移除犧牲層。於基底上形成第二導體層，第二導體層電性連接導體結構。以及圖案化第二導體層與導體結構，以形成浮置閘極。
<摘錄公開資訊觀測站>

2018/12/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3080646專】
2018/12/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3069339專】
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2018/12/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3092137專】
2018/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I639925專利】
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