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1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性半導體儲存裝置以及其控制方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/10/243.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 88,6944.其他應敘明事項:一非揮發性記憶體單元陣列被分為第一單元陣列以及第二單元陣列，頁面緩衝電路設置於第一單元陣列以及第二單元陣列之間，且第二閂鎖電路設置於第一單元陣列的外緣區域，且頁面緩衝電路透過第一單元陣列之總體位元線連接至上述第二閂鎖電路。控制資料寫入至第一單元陣列或第二單元陣列係藉由在資料寫入時，當寫入資料被閂鎖於第二閂鎖電路中之後，透過第一單元陣列之總體位元線將寫入資料從第二閂鎖電路傳送至頁面緩衝電路。控制從第一單元陣列或第二單元陣列讀取的資料輸出至外部電路係藉由在資料讀取時，透過第一單元陣列之總體位元線將資料從頁面緩衝電路傳送至第二閂鎖電路。<摘錄公開資訊觀測站>

2018/1/9【力晶250億聯貸 彰銀土銀籌辦】
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