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公告本公司取得日本專利局核發JP 6251793專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體記憶裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/12/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 170,7884.其他應敘明事項:本發明的半導體記憶裝置包括：感測放大器，連接於位元線，從記憶體元件讀出資料；第1開關元件，連接於第1電源電壓與感測放大器的第1電源中間節點之間，在感測放大器驅動時導通；第2開關元件，連接於第2電源電壓與感測放大器的第2電源中間節點之間，在感測放大器驅動時導通；以及等化器電路，使第1及第2電源中間節點等化於等化電壓，該等化電壓是第1電源中間節點的最大值與第2電源中間節點的最小值之間的半值位準，該半導體記憶裝置包括連接於位元線且基於測試信號將所述位元線的電壓控制在規定的電壓值。<摘錄公開資訊觀測站>

2017/12/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2667934專】
2017/12/28【公告本公司取得美國專利局核發US 9811899專利】
2017/12/28【公告本公司取得美國專利局核發US 9780195專利】
2017/12/28【公告本公司取得日本專利局核發JP 6251793專利】
2017/12/28【公告本公司取得日本專利局核發JP 6215398專利】
2017/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I608481專利】
2017/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I608600專利】
2017/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I608479專利】
2017/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I608478專利】
2017/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I602650專利】
2017/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I603328專利】
2017/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I608480專利】
2017/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I603512專利】
2017/12/12【利基型產品夯 業者被迫配售】

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