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公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I603512專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電阻式隨機存取記憶體結構2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/10/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 63,8004.其他應敘明事項:一種電阻式隨機存取記憶體結構，包括電阻式隨機存取記憶體。電阻式隨機存取記憶體包括電晶體、介電層及多個第一電阻式隨機存取記憶胞串。介電層覆蓋電晶體。第一電阻式隨機存取記憶胞串設置於介電層中。各第一電阻式隨機存取記憶胞串包括多個第一記憶胞、多條第一位元線及內連線結構。第一位元線分別電性連接各第一記憶胞。內連線結構電性連接於第一記憶胞，第一位元線與內連線結構分別位於第一記憶胞兩側。第一電阻式隨機存取記憶胞串包含之內連線結構彼此分離，內連線結構將第一電阻式隨機存取記憶胞串電性連接至同一電晶體的同一端子。<摘錄公開資訊觀測站>

2017/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I602650專利】
2017/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I603328專利】
2017/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I608480專利】
2017/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I603512專利】
2017/12/12【利基型產品夯 業者被迫配售】
2017/12/6【黃崇仁 決在兩岸建新晶片廠】
2017/11/14【DRAM續漲 南亞科華邦電受惠】
2017/10/2【DRAM續漲 南亞科晶豪科認購旺】
2017/9/29【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2590480專】
2017/9/29【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2546050專】
2017/9/29【公告本公司取得日本專利局核發JP 6166810專利】
2017/9/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9704579專利】
2017/9/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9735228專利】
2017/9/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9704898專利】

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