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公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2590480專

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1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶體及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/08/183.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 78,7524.其他應敘明事項:一種非揮發性記憶體及其製作方法。此非揮發性記憶體包括基底、多個字元線、多個選擇線以及摻雜區。基底具有記憶胞區與二個選擇線區。選擇線區分別位於記憶胞區的相對兩側。字元線設置於記憶胞區中。選擇線設置於選擇線區中。每一字元線的線寬與每一選擇線的線寬相同。相鄰的字元線之間的間距、相鄰的選擇線之間的間距以及相鄰的選擇線與字元線之間的間距相同。摻雜區位於每一字元線兩側以及每一選擇線區的兩側的基底中。
<摘錄公開資訊觀測站>

2017/12/6【黃崇仁 決在兩岸建新晶片廠】
2017/11/14【DRAM續漲 南亞科華邦電受惠】
2017/10/2【DRAM續漲 南亞科晶豪科認購旺】
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