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1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性半導體記憶裝置及其抹除方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 234,9234.其他應敘明事項:本發明的非揮發性半導體記憶裝置包括控制電路，所述控制電路藉由對包含設置在多個字元線與多個位元線的各交叉點上的記憶胞元的記憶胞元陣列的規定的塊施加規定的抹除電壓而進行資料的抹除，且所述控制電路藉由對所述記憶胞元陣列的緣端部以外的偶數的字元線及奇數的字元線施加互不相同的字元線電壓，對所述記憶胞元陣列的緣端部的字元線施加與所述字元線電壓不同的電壓，將所述抹除電壓施加至記憶胞元來抹除資料。<摘錄公開資訊觀測站>

2017/9/29【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2590480專】
2017/9/29【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2546050專】
2017/9/29【公告本公司取得日本專利局核發JP 6166810專利】
2017/9/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9704579專利】
2017/9/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9735228專利】
2017/9/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9704898專利】
2017/9/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9709335專利】
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I599028專利】
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I592810專利】
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I593120專利】
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I592759專利】
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