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公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I593062專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶體及其操作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 82,3004.其他應敘明事項:一種非揮發性記憶體,包括記憶單元陣列。記憶單元陣列設置於基底的第二區。次控制閘極線連接記憶單元的控制閘極。第一位元組選擇單元及第二位元組選擇單元分別設置於基底的第一區及第三區。第二位元組選擇單元的導電型態不同於第一位元組選擇單元。第一主控制閘極線經由第一位元組選擇單元而連接次控制閘極線。第二主控制閘極線經由第二位元組選擇單元而連接次控制閘極線。第一位元組選擇閘極線連接第一位元組選擇單元的閘極。第二位元組選擇閘極線連接第二位元組選擇單元的閘極。<摘錄公開資訊觀測站>

2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I592759專利
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I598880專利
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I592941專利
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I593062專利
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I593093專利
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I598602專利
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I592940專利
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I593290專利
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I593075專利
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I592939專利
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I592936專利
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2017/8/24【半導體設備出貨連5月逾20億美元
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