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公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I593075專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:金屬氧化物金屬電容器電路及其半導體裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 71,2004.其他應敘明事項:本發明提供一種使用形成於基板上的金屬電極藉由多個電容器形成的電容器電路，以使得與習知技術相比可以更精確地調整電容器的電容。MOM電容器包含分別藉由透過基板上的絕緣薄膜面向彼此的多對金屬電極形成的多個MOM（金屬氧化物金屬）電容器。MOM電容器電路是以MOM電容器的金屬電極對中的每一者經由連接導體連接至第一端子及第二端子的方式並藉由至少一個電容器元件形成；以及至少一個開關元件，其連接至所述多個金屬電極以及第一端子及第二端子中的至少一者，其中所述MOM電容器電路的電容是藉由接通/斷開所述開關元件而進行調整。<摘錄公開資訊觀測站>

2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I598602專利】
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I592940專利】
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I593290專利】
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I593075專利】
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I592939專利】
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I592936專利】
2017/9/13【SEMICON Taiwan登場 創半導體業新高峰】
2017/8/24【半導體設備出貨連5月逾20億美元】
2017/7/12【半導體熱 鉅晶買廠房擴產】
2017/7/7【公告子公司鉅晶電子股份有限公司董事會決議擬取得 不動產之相關】
2017/6/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 6133911專利】
2017/6/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 6131290專利】
2017/6/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 6132860專利】
2017/6/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 6114796專利】

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