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公告本公司取得日本專利局核發JP 6131290專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:快閃記憶體閘極結構及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/04/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 245,6474.其他應敘明事項:本發明提供一種快閃記憶體閘極結構的製作方法，包含：首先提供一基底，再依序形成一第一絕緣層、一第一導電層和一第二絕緣層覆蓋基底，然後在第一導電層和第二絕緣層內形成至少一第一溝渠，之後形成一第二導電層和一遮罩層覆蓋　第二絕緣層，其中第二導電層填滿第一溝渠，接續形成複數個圖案化遮罩層，接著於各個圖案化遮罩層之兩側各形成一側壁子，最後以圖案化遮罩層與側壁子為遮罩蝕刻第一導電層，直至第一絕緣層曝露出來，以形成一第一閘極結構和一第二閘極結構。<摘錄公開資訊觀測站>

2017/7/12【半導體熱 鉅晶買廠房擴產】
2017/7/7【公告子公司鉅晶電子股份有限公司董事會決議擬取得 不動產之相關】
2017/6/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 6133911專利】
2017/6/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 6131290專利】
2017/6/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 6132860專利】
2017/6/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 6114796專利】
2017/6/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 6131357專利】
2017/6/30【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2484258專】
2017/6/30【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2490440專】
2017/6/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9613995專利】
2017/6/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9620368專利】
2017/6/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9620544專利】
2017/6/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9627468專利】
2017/6/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9640272專利】

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