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公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2490440專

公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2490440專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電阻式隨機存取記憶體2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/06/073.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 61,2964.其他應敘明事項:一種電阻式隨機存取記憶體，包括第一電極、介電層、至少一第一奈米結構及第二電極。介電層設置於第一電極上。第一奈米結構設置於第一電極與介電層之間，且第一奈米結構包括多個第一群聚型金屬奈米粒子及多個第一包覆型金屬奈米粒子。第一群聚型金屬奈米粒子設置於第一電極上。第一包覆型金屬奈米粒子包覆第一群聚型金屬奈米粒子，其中第一群聚型金屬奈米粒子的擴散係數大於第一包覆型金屬奈米粒子的擴散係數。第二電極設置於介電層上。<摘錄公開資訊觀測站>

2017/6/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 6114796專利】
2017/6/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 6131357專利】
2017/6/30【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2484258專】
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2017/6/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9620368專利】
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2017/6/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9640272專利】
2017/6/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9653142專利】
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2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585951專利】
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I581268專利】
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