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公告本公司取得美國專利局核發US 9613995專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體元件及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/04/043.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 186,0234.其他應敘明事項:一種半導體元件，包括：基底、至少一感測器、介電層、至少一光導管結構、至少一焊墊、遮蔽層以及保護層。感測器位於第一區的基底中。介電層位於基底上。光導管結構位於第一區的介電層中。光導管結構對應於感測器。焊墊位於第二區的介電層中。遮蔽層位於介電層上，其中遮蔽層環繞光導管結構。保護層位於遮蔽層上。焊墊上方的介電層、遮蔽層以及保護層中具有至少一焊墊開口，以暴露對應的焊墊的頂面<摘錄公開資訊觀測站>

2017/6/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 6131357專利】
2017/6/30【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2484258專】
2017/6/30【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2490440專】
2017/6/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9613995專利】
2017/6/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9620368專利】
2017/6/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9620544專利】
2017/6/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9627468專利】
2017/6/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9640272專利】
2017/6/30【公告本公司取得美國專利局核發US 9653142專利】
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585510專利】
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585951專利】
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I581268專利】
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I581373專利】
2017/6/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I581262專利】

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