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公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I592939專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電晶體測試電路及方法、半導體記憶裝置以及半導體裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 146,7004.其他應敘明事項:本發明提供可對每個晶片高準確度地測定半導體裝置中所含的電晶體的擊穿電壓的電晶體測試電路等。電晶體測試電路，其設置於半導體晶片，測定MOS電晶體的擊穿電壓，該電晶體測試電路包括：電壓施加裝置，對所述MOS電晶體的汲極、源極及閘極中的至少其中之一施加預定的測試電壓；電流檢測電路，當施加所述測試電壓時，對從所述MOS電晶體流至負載電路的電流進行檢測；電流鏡電壓輸出電路，產生與檢測出的所述電流對應的鏡像電流並輸出；以及比較器電路，將所述鏡像電流與預定的基準電流進行比較並輸出比較結果訊號。<摘錄公開資訊觀測站>

2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I592940專利】
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I593290專利】
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I593075專利】
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I592939專利】
2017/9/29【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I592936專利】
2017/9/13【SEMICON Taiwan登場 創半導體業新高峰】
2017/8/24【半導體設備出貨連5月逾20億美元】
2017/7/12【半導體熱 鉅晶買廠房擴產】
2017/7/7【公告子公司鉅晶電子股份有限公司董事會決議擬取得 不動產之相關】
2017/6/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 6133911專利】
2017/6/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 6131290專利】
2017/6/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 6132860專利】
2017/6/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 6114796專利】
2017/6/30【公告本公司取得日本專利局核發JP 6131357專利】

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