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公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I603328專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:鎖存電路以及半導體記憶裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/10/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 52,6004.其他應敘明事項:鎖存電路包括：輸入電路，包含使與感測電壓相應的信號電流流入的輸入用PMOS電晶體；第1反相器，包含第1 PMOS電晶體、第1 NMOS電晶體以及第1節點，所述第1節點將第1 PMOS電晶體與第1 NMOS電晶體予以連接且連接於輸入電路；以及第2反相器，包含第2 PMOS電晶體、第2 NMOS電晶體以及第2節點，所述第2節點將第2 PMOS電晶體與第2 NMOS電晶體予以連接且第1反相器與第2反相器是級聯連接而構成。
<摘錄公開資訊觀測站>

2017/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I608479專利】
2017/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I608478專利】
2017/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I602650專利】
2017/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I603328專利】
2017/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I608480專利】
2017/12/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I603512專利】
2017/12/12【利基型產品夯 業者被迫配售】
2017/12/6【黃崇仁 決在兩岸建新晶片廠】
2017/11/14【DRAM續漲 南亞科華邦電受惠】
2017/10/2【DRAM續漲 南亞科晶豪科認購旺】
2017/9/29【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2590480專】
2017/9/29【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2546050專】
2017/9/29【公告本公司取得日本專利局核發JP 6166810專利】
2017/9/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9704579專利】

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