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公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I581428專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體元件及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/05/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 95,2004.其他應敘明事項:一種半導體元件,包含有一基底;一源極摻雜區,設於基底中;一汲極摻雜區,設於基底中,並與源極摻雜區相隔一預定距離;一通道區域,介於源極摻雜區與汲極摻雜區之間;以及一閘極結構,設於通道區域上,其中閘極結構包含有一閘極介電層、一閘極導電層,以及一複合應力導向層。<摘錄公開資訊觀測站>

2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I581213專利
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I581413專利
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I581441專利
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I581428專利
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I580984專利
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I581072專利
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I581407專利
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585512專利
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585767專利
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585768專利
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585772專利
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585795專利
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585924專利
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585323專利

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