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公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585772專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體記憶裝置及半導體積體電路裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/06/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 154,0004.其他應敘明事項:本發明高效率地在開發階段進行不良記憶胞元修復的測試。記憶體控制電路10基於包含列位址Ax及行位址Ay的位址Address，從與字元線WL及位元線BL連接的記憶胞元50讀出所保存的資料。冗餘解碼器13-1~13-4在位址Address包含指定與特定的記憶胞元Cc連接的字元線WLa或位元線BLc的冗餘位址P1~P4時，使與冗餘字元線RWL1、RWL2或冗餘位元線RBL1、RBL2連接的冗餘記憶胞元RCc取代特定的記憶胞元Cc。冗餘位址鎖存電路12-1~12-4分別保持冗餘位址P1~P4，並且基於從記憶體控制電路10輸入的重置訊號RS來抹除所保持的冗餘位址P1~P4。<摘錄公開資訊觀測站>

2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585512專利】
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585767專利】
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585768專利】
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585772專利】
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585795專利】
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585924專利】
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585323專利】
2017/6/29【產能調配可望更有彈性】
2017/6/29【大陸12吋廠明年Q2量產】
2017/6/29【力晶拚重返上市變全方位代工廠】
2017/6/29【10年擁新廠黃崇仁拚反敗為勝】
2017/6/29【力晶合肥廠火速竣工年底量產】
2017/6/23【股東會決議通過解除董事競業禁止之限制】
2017/6/20【力晶重啟NOR產能搶缺貨商機】

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