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公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585768專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶裝置與用於非揮發性記憶裝置的寫入電路及方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/06/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 114,2004.其他應敘明事項:一種用於非揮發性記憶裝置的寫入電路，所述非揮發性記憶裝置具備控制電路，該控制電路在進行資料的寫入時，判斷每個記憶胞元的程式化結束，該寫入電路包括：第1開關元件，基於由保存對應的記憶胞元的程式化校驗狀態的記憶元件所保存的資料而受到通斷控制；判斷控制用MOS電晶體，進行程式化校驗的判斷控制；以及第2開關元件，基於判斷控制訊號，將控制判斷控制用MOS電晶體的電壓施加至其閘極，在進行程式化校驗之前，將判斷控制用MOS電晶體的閘極電壓設定成為將判斷控制用MOS電晶體的臨限值電壓加上預設控制電壓值所得的電壓值。<摘錄公開資訊觀測站>

2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I581407專利】
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585512專利】
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585767專利】
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585768專利】
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585772專利】
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585795專利】
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585924專利】
2017/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I585323專利】
2017/6/29【產能調配可望更有彈性】
2017/6/29【大陸12吋廠明年Q2量產】
2017/6/29【力晶拚重返上市變全方位代工廠】
2017/6/29【10年擁新廠黃崇仁拚反敗為勝】
2017/6/29【力晶合肥廠火速竣工年底量產】
2017/6/23【股東會決議通過解除董事競業禁止之限制】

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