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公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2318098專

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電阻式記憶體結構及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/01/183.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 74,8404.其他應敘明事項:一種電阻式記憶體單元，包含有至少一位元線，沿著第一方向延伸；至少一字元線，設於一基底上，且沿著一第二方向延伸，與該位元線交叉；一硬遮罩層，位於該字元線上，使該字元線與該位元線電性隔離；一第一記憶胞，設於該字元線的一側壁上，；以及一第二記憶胞，設於該字元線的另一側壁上。
<摘錄公開資訊觀測站>

2017/3/31【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I571938專利】
2017/3/31【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I571939專利】
2017/3/31【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2320395專】
2017/3/31【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2318098專】
2017/3/31【公告本公司取得日本專利局核發JP 6050804專利】
2017/3/31【公告本公司取得日本專利局核發JP 6084318專利】
2017/3/31【公告本公司取得日本專利局核發JP 6097797專利】
2017/3/31【公告本公司取得日本專利局核發JP 6069544專利】
2017/3/31【公告本公司取得美國專利局核發US 9576963專利】
2017/3/31【公告本公司取得美國專利局核發US 9589657專利】
2017/3/31【公告本公司取得美國專利局核發US 9536890專利】
2017/3/31【公告本公司取得美國專利局核發US 9537398專利】
2017/3/31【公告本公司取得美國專利局核發US 9530507專利】
2017/2/15【全球DRAM廠營收上季增18％】

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