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公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1487741專

公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1487741專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:具有垂直通道電晶體的動態隨機存取記憶胞及陣列2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/10/093.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$63,3994.其他應敘明事項:一種具有垂直通道電晶體的動態隨機存取記憶胞，包括半導體柱、汲極層、輔助閘極、控制閘極、源極層、電容器。半導體柱構成垂直通道電晶體的主動區。汲極層設置於半導體柱底部。輔助閘極隔著第一閘介電層而設置於汲極層附近。控制閘極隔著第二閘介電層而設置於主動區附近。源極層設置於半導體柱頂部。電容器電性連接源極層。<摘錄公開資訊觀測站>

2014/12/31【公告本公司取得美國專利局核發US 8846485專利】
2014/12/31【公告本公司取得美國專利局核發US 8822303專利】
2014/12/31【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1512524專】
2014/12/31【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1487741專】
2014/12/31【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I464831專利】
2014/12/31【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I458068專利】
2014/12/30【公告更正本公司103年11月份衍生性商品交易資訊】
2014/12/29【蘋果升級 DRAM缺口擴大】
2014/12/12【力晶：DRAM三引擎發動】
2014/12/12【台灣還債達人黃崇仁：我第1名】
2014/12/10【出身宏碁產業聲望高】
2014/12/10【霸氣變柔軟啟動接班】
2014/12/10【四貴人加持重回前段班】
2014/12/10【力晶敗部復活拚連三年賺百億】

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