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公告本公司取得美國專利局核發US 8822303專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體元件的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/10/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$287,1724.其他應敘明事項:一種半導體元件的製造方法，包括下列步驟。首先，於基底上形成多個堆疊結構，其中各堆疊結構由下而上依序包括穿隧介電層、浮置閘極、閘間介電層以及控制閘極。接著，形成覆蓋於堆疊結構的第一介電層，其中第一介電層具有多個懸突，懸突包覆堆疊結構之頂部。然後，進行乾式共形蝕刻製程，以共形地移除第一介電層，直到移除位於控制閘極頂部的高度以下的第一介電層。接下來，於堆疊結構上形成第二介電層，其中第二介電層連接相鄰的懸突，而在堆疊結構之間形成氣隙。<摘錄公開資訊觀測站>

2015/1/13【力晶內線案黃崇仁無罪確定】
2014/12/31【公告本公司取得美國專利局核發US 8883636專利】
2014/12/31【公告本公司取得美國專利局核發US 8846485專利】
2014/12/31【公告本公司取得美國專利局核發US 8822303專利】
2014/12/31【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1512524專】
2014/12/31【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1487741專】
2014/12/31【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I464831專利】
2014/12/31【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I458068專利】
2014/12/30【公告更正本公司103年11月份衍生性商品交易資訊】
2014/12/29【蘋果升級 DRAM缺口擴大】
2014/12/12【力晶：DRAM三引擎發動】
2014/12/12【台灣還債達人黃崇仁：我第1名】
2014/12/10【出身宏碁產業聲望高】
2014/12/10【霸氣變柔軟啟動接班】

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