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公告本公司取得美國專利局核發US 8846485專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:動態隨機存取記憶體的電容器下電極的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/10/293.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$309,1904.其他應敘明事項:一種動態隨機存取記憶體的電容器下電極的製造方法包括下列步驟。提供具有記憶胞區的基底。於基底的記憶胞區上形成多晶矽模板層。於多晶矽模板層上形成支撐層。形成穿過支撐層、多晶矽模板層的多個開孔。至少於開孔所暴露的多晶矽模板層上形成一襯層(liner layer)。於基底上形成實質上共形的導電層。移除支撐層上的導電層，而形成多個電容器下電極。利用多晶矽模板層，可以製造出外型輪廓良好(側向蝕刻少)的開孔，因此可以縮小元件尺寸。<摘錄公開資訊觀測站>

2015/1/13【黃崇仁內線交易案無罪】
2015/1/13【力晶內線案黃崇仁無罪確定】
2014/12/31【公告本公司取得美國專利局核發US 8883636專利】
2014/12/31【公告本公司取得美國專利局核發US 8846485專利】
2014/12/31【公告本公司取得美國專利局核發US 8822303專利】
2014/12/31【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1512524專】
2014/12/31【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1487741專】
2014/12/31【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I464831專利】
2014/12/31【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I458068專利】
2014/12/30【公告更正本公司103年11月份衍生性商品交易資訊】
2014/12/29【蘋果升級 DRAM缺口擴大】
2014/12/12【力晶：DRAM三引擎發動】
2014/12/12【台灣還債達人黃崇仁：我第1名】
2014/12/10【出身宏碁產業聲望高】

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