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公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I458068專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:垂直通道電晶體陣列及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/10/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$63,5004.其他應敘明事項:一種垂直通道電晶體陣列，包括多條埋入式位元線、多條位元線接觸窗、多個埋入式字元線與漏電流隔離結構。多個半導體柱構成垂直通道電晶體的主動區。多條埋入式位元線平行設置於半導體基底中，在行方向延伸。多條位元線接觸窗分別設置於埋入式位元線的一側。多個埋入式字元線，平行設置於埋入式位元線上方，在列方向延伸，且隔著閘介電層而連接同一列之半導體柱。漏電流隔離結構設置於埋入式位元線末端部分，以避免相鄰位元線接觸窗之間產生漏電流。<摘錄公開資訊觀測站>

2014/12/31【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1512524專】
2014/12/31【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1487741專】
2014/12/31【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I464831專利】
2014/12/31【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I458068專利】
2014/12/30【公告更正本公司103年11月份衍生性商品交易資訊】
2014/12/29【蘋果升級 DRAM缺口擴大】
2014/12/12【力晶：DRAM三引擎發動】
2014/12/12【台灣還債達人黃崇仁：我第1名】
2014/12/10【出身宏碁產業聲望高】
2014/12/10【霸氣變柔軟啟動接班】
2014/12/10【四貴人加持重回前段班】
2014/12/10【力晶敗部復活拚連三年賺百億】
2014/12/10【黃崇仁：明年DRAM將大缺貨】
2014/12/4【力晶要併鉅晶拚再上市】

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