未上市  

公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3070168專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

快閃記憶體及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/09/25

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 61,022

4.其他應敘明事項:

一種快閃記憶體，包括堆疊閘極結構、第一摻雜區與第二摻雜區、選擇閘極以及

閘介電層。堆疊閘極結構設置於基底上，堆疊閘極結構從基底起依序包括穿隧介

電層、浮置閘極、閘間介電層以及控制閘極。第一摻雜區與第二摻雜區分別設置

於堆疊閘極結構兩側的基底中。選擇閘極設置於堆疊閘極結構下方的基底中的溝

渠內，且選擇閘極鄰近第一摻雜區並與第二摻雜區相距一距離。閘介電層設置於

選擇閘極與基底之間。穿隧介電層設置於浮置閘極與選擇閘極之間以及於浮置閘

極與基底之間。

<摘錄公開資訊觀測站>