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公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3160475專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

快閃記憶體閘極結構及其製作方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/11/23

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 84,154

4.其他應敘明事項:

本發明提供一種快閃記憶體閘極結構的製作方法，包含：首先提供一基底，再依

序形成一第一絕緣層、一第一導電層和一第二絕緣層覆蓋基底，然後在第一導電

層和第二絕緣層內形成至少一第一溝渠，之後形成一第二導電層和一遮罩層覆蓋　

第二絕緣層，其中第二導電層填滿第一溝渠，接續形成複數個圖案化遮罩層，接

著於各個圖案化遮罩層之兩側各形成一側壁子，最後以圖案化遮罩層與側壁子為

遮罩蝕刻第一導電層，直至第一絕緣層曝露出來，以形成一第一閘極結構和一第

二閘極結構。

<摘錄公開資訊觀測站>

2018/12/28【公告本公司取得美國專利局核發US 10088753專利】
2018/12/28【公告本公司取得美國專利局核發US 10082820專利】
2018/12/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3070168專】
2018/12/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3160475專】
2018/12/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3130733專】
2018/12/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3080648專】
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