1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
隔離結構及具有其之非揮發性記憶體的製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 57,600
4.其他應敘明事項:
一種隔離結構的製造方法,適用於非揮發性記憶體的製程中。此方法是提供基底,
並於基底上依序形成介電層、導體層及硬罩幕層。圖案化硬罩幕層及導體層,而形
成暴露出介電層的第一溝槽。於基底上形成第一襯層。移除第一溝槽所暴露的第一
襯層及介電層,以暴露基底。於導體層及硬罩幕層的側壁形成間隙壁。以具有間隙
壁的導體層及硬罩幕層為罩幕,移除部分基底,以形成第二溝槽。之後於第二溝槽
中形成一隔離層,其中導體層之間的間距大於第二溝槽的寬度。
<摘錄公開資訊觀測站>