未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

半導體元件的製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 48,600

4.其他應敘明事項:

一種半導體元件的製造方法，包括下列步驟。提供基底，基底包括隔離區和元件

區。對基底進行全面性預非晶化處理以形成非晶化區，其中非晶化區的深度全面

性地深於隔離區及元件區的至少一者的深度，且非晶化區涵蓋隔離區及元件區的

至少一者。對非晶化區進行熱處理。

<摘錄公開資訊觀測站>