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1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
半導體裝置的製作方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/01
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 57,800
4.其他應敘明事項:
本發明提供一種半導體裝置的製作方法，僅需增加一道光罩，能夠提供高壓元件
較大的側壁子寬度，對記憶體區域及低電壓區域內的元件提供較小的側壁子寬度
。本發明主要利用一犧牲保護層，僅覆蓋住高電壓區域的氮化矽側壁子，選擇性
的剝除低電壓區域內的氮化矽側壁子，再去除該犧牲保護層。
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