未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

半導體元件及其製作方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/01

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 53,200

4.其他應敘明事項:

一種半導體元件及其製作方法。半導體元件的製作方法包括以下步驟。提供一基

底，基底中已形成有多個溝槽，其中溝槽之間的基底上已依序配置有一氧化層、

一矽基材料層以及一罩幕層。形成一介電層，以填入溝槽中並覆蓋罩幕層、矽基

材料層、氧化層以及基底。對基底進行一退火製程，其中來自罩幕層的氫會與矽

基材料層中的矽形成矽-氫鍵。

<摘錄公開資訊觀測站>