未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

三維記憶體的陣列結構及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/11

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 45,200

4.其他應敘明事項:

一種三維記憶體的陣列結構，包括：堆疊結構，為由介電層與第一導電層交錯堆

疊而成的結構，堆疊結構具有孔洞貫穿堆疊結構的各層，且孔洞於介電層與第一

導電層處分別具有不同的孔徑；第二導電層，設置於堆疊結構中的孔洞；以及資

料儲存層，設置於堆疊結構與第二導電層之間。

<摘錄公開資訊觀測站>