未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

非揮發性記憶體及其製作方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/01

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 39,000

4.其他應敘明事項:

一種非揮發性記憶體的製作方法。提供基底，其上形成有穿隧介電層、第一導體

圖案及隔離結構。以第一光阻層為罩幕，移除部分第一導體圖案，以形成暴露出

基底的第一開口。形成絕緣層，以填滿第一開口並覆蓋第一導體圖案與隔離結構

。形成第二光阻層，其遮蔽部分第一導體圖案。以第二光阻層為罩幕，移除第一

導體圖案周圍的絕緣層，形成具有第二開口的圖案化絕緣層，第二開口暴露出第

一導體圖案的頂部與側壁。於第一導體圖案上形成閘間介電層與第二導體圖案，

第二導體圖案填滿第二開口，第一導體圖案形成浮置閘極，第二導體圖案形成控

制閘極。

<摘錄公開資訊觀測站>