未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

非揮發性記憶體元件及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:104/04/08

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$80,818

4.其他應敘明事項:

一種非揮發性記憶體元件包括基底、閘極堆疊結構、選擇閘、抹除閘、源極區、汲極區

、第一介電層與第二介電層。閘極堆疊結構，位於基底上，其由下而上包括穿隧介電層

、浮置閘、閘間介電層與控制閘，以及間隙壁，位於控制閘以及閘間介電層之側壁且浮

置閘與抹除閘相鄰之一側為具有尖角之包覆輪廓，凸出於間隙壁之縱表面。選擇閘與抹

除閘分別位於閘極堆疊結構之第一側與第二側的基底上。源極區位於抹除閘下方的基底

中。汲極區位於選擇閘之一側的基底中。第一介電層位於閘極堆疊結構與抹除閘之間以

及閘極堆疊結構與源極區之間。第二介電層位於選擇閘與基底之間。

<摘錄公開資訊觀測站>