台灣未上市股票 財經網
未上市
未上市股票行情,興櫃股票買賣,未上市櫃股票查詢,快速掌握未上市股票買賣脈動
未上市櫃股票行情查詢,未上市股票買賣過戶,興櫃股票行情查詢∼免付費專線：0800-035-178
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1512524專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
動態隨機存取記憶體的電容器下電極的製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/12/04
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$88,811
4.其他應敘明事項:
一種動態隨機存取記憶體的電容器下電極的製造方法包括下列步驟。提供具有記
憶胞區的基底。於基底的記憶胞區上形成多晶矽模板層。於多晶矽模板層上形成
支撐層。形成穿過支撐層、多晶矽模板層的多個開孔。至少於開孔所暴露的多晶
矽模板層上形成一襯層(liner layer)。於基底上形成實質上共形的導電層。移
除支撐層上的導電層，而形成多個電容器下電極。利用多晶矽模板層，可以製造
出外型輪廓良好(側向蝕刻少)的開孔，因此可以縮小元件尺寸。
<摘錄公開資訊觀測站>