台灣未上市股票 財經網
未上市
未上市股票行情,興櫃股票買賣,未上市櫃股票查詢,快速掌握未上市股票買賣脈動
未上市櫃股票行情查詢,未上市股票買賣過戶,興櫃股票行情查詢∼免付費專線：0800-035-178
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
半導體元件的製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/10/01
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$287,172
4.其他應敘明事項:
一種半導體元件的製造方法，包括下列步驟。首先，於基底上形成多個堆疊結構，其
中各堆疊結構由下而上依序包括穿隧介電層、浮置閘極、閘間介電層以及控制閘極。
接著，形成覆蓋於堆疊結構的第一介電層，其中第一介電層具有多個懸突，懸突包覆
堆疊結構之頂部。然後，進行乾式共形蝕刻製程，以共形地移除第一介電層，直到移
除位於控制閘極頂部的高度以下的第一介電層。接下來，於堆疊結構上形成第二介電
層，其中第二介電層連接相鄰的懸突，而在堆疊結構之間形成氣隙。
<摘錄公開資訊觀測站>