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1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
垂直通道電晶體陣列及其製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/10/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$63,500
4.其他應敘明事項:
一種垂直通道電晶體陣列，包括多條埋入式位元線、多條位元線接觸窗、多個埋
入式字元線與漏電流隔離結構。多個半導體柱構成垂直通道電晶體的主動區。多
條埋入式位元線平行設置於半導體基底中，在行方向延伸。多條位元線接觸窗分
別設置於埋入式位元線的一側。多個埋入式字元線，平行設置於埋入式位元線上
方，在列方向延伸，且隔著閘介電層而連接同一列之半導體柱。漏電流隔離結構
設置於埋入式位元線末端部分，以避免相鄰位元線接觸窗之間產生漏電流。
<摘錄公開資訊觀測站>