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公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3070168專

公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3070168專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:快閃記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/09/253.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 61,0224.其他應敘明事項:一種快閃記憶體，包括堆疊閘極結構、第一摻雜區與第二摻雜區、選擇閘極以及閘介電層。堆疊閘極結構設置於基底上，堆疊閘極結構從基底起依序包括穿隧介電層、浮置閘極、閘間介電層以及控制閘極。第一摻雜區與第二摻雜區分別設置於堆疊閘極結構兩側的基底中。選擇閘極設置於堆疊閘極結構下方的基底中的溝渠內，且選擇閘極鄰近第一摻雜區並與第二摻雜區相距一距離。閘介電層設置於選擇閘極與基底之間。穿隧介電層設置於浮置閘極與選擇閘極之間以及於浮置閘極與基底之間。
<摘錄公開資訊觀測站>

2018/12/28【公告本公司取得美國專利局核發US 10121848專利】
2018/12/28【公告本公司取得美國專利局核發US 10088753專利】
2018/12/28【公告本公司取得美國專利局核發US 10082820專利】
2018/12/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3070168專】
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2018/12/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3130733專】
2018/12/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3080648專】
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2018/12/28【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3090384專】
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