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公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559585專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電阻式隨機存取記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 63,2004.其他應敘明事項:一種電阻式隨機存取記憶體，包括基底、介電層與至少一記憶胞串。介電層設置於基底上。記憶胞串包括多個記憶胞與多個第二介層窗。記憶胞垂直相鄰地設置於介電層中，且各個記憶胞包括第一介層窗、二導線與二可變電阻結構。導線分別設置於第一介層窗的兩側。可變電阻結構分別設置於第一介層窗與導線之間。在垂直相鄰的兩個記憶胞中，位於上方的記憶胞的可變電阻結構與位於下方的記憶胞的可變電阻結構彼此隔離。第二介層窗分別設置於第一介層窗下方的介電層中並連接於第一介層窗，且垂直相鄰的兩個第一介層窗藉由第二介層窗進行連接。<摘錄公開資訊觀測站>

2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559308專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559009專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555246專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559585專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555213專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555065專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555120專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559459專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555119專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555131專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559450專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9484349專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9490349專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9460933專利】

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