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公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555213專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:快閃記憶體閘極結構及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 91,4004.其他應敘明事項:本發明提供一種快閃記憶體閘極結構的製作方法，包含：首先提供一基底，再依序形成一第一絕緣層、一第一導電層和一第二絕緣層覆蓋基底，然後在第一導電層和第二絕緣層內形成至少一第一溝渠，之後形成一第二導電層和一遮罩層覆蓋第二絕緣層，其中第二導電層填滿第一溝渠，接續形成複數個圖案化遮罩層，接著於各個圖案化遮罩層之兩側各形成一側壁子，最後以圖案化遮罩層與側壁子為遮罩蝕刻第　一導電層，直至第一絕緣層曝露出來，以形成一第一閘極結構和一第二閘極結構。<摘錄公開資訊觀測站>

2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559009專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555246專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559585專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555213專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555065專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555120專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559459專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555119專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555131專利】
2016/12/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559450專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9484349專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9490349專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9460933專利】
2016/12/29【公告本公司取得美國專利局核發US 9484341專利】

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