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公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I531032專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:記憶體線路結構以及其半導體線路製程2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/04/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$72,4004.其他應敘明事項:本發明提出了一種用以形成特定圖形特徵的半導體製程，其步驟包含：在基底上形成一目標層以及等間隔排列的內核體、共形地形成一硬遮罩層、在硬遮罩層上形成第一光阻，其中該第一光阻涵蓋一預定區域，該預定區域包含兩個以上的該些內核體、進行一第一蝕刻製程去除該預定區域以外部分的硬遮罩層，以裸露出部分內核體、去除該些裸露的內核體、在該預定區域內形成一第二光阻，其至少涵蓋該預定區域中所有的凹槽、以及進行一第二蝕刻製程圖形化該目標層。
<摘錄公開資訊觀測站>

2016/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I530809專利】
2016/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I531100專利】
2016/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I531007專利】
2016/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I531032專利】
2016/6/22【股東會決議通過解除董事競業禁止之限制】
2016/4/26【愛普今年拚賺一股本】
2016/4/26【 力晶轉投資 愛普5月將上市 】
2016/4/20【公告子公司Global Powertec CO., LTD.減資事宜】
2016/3/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I525626專利】
2016/3/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I525752專利】
2016/3/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I517166專利】
2016/3/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I517579專利】
2016/3/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I517247專利】
2016/3/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I517307專利】

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