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公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I531007專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體結構與其半導體製程2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/04/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$59,4004.其他應敘明事項:本發明提出了一種半導體製程，其步驟包含在一基底上形成一圖形化導電層、形成一未摻雜介電層，其頂面與圖形化導電層的頂面齊平、在圖形化導電層以及未摻雜介電層上形成一受摻雜介電層、進行一蝕刻製程，該蝕刻製程對未摻雜介電層以及受摻雜介電層具有高度的蝕刻選擇比，使得該蝕刻製程中僅裸露出之受摻雜介電層會被完全蝕去，未摻雜介電層則不會受到蝕刻。<摘錄公開資訊觀測站>

2016/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I530702專利】
2016/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I530809專利】
2016/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I531100專利】
2016/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I531007專利】
2016/6/30【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I531032專利】
2016/6/22【股東會決議通過解除董事競業禁止之限制】
2016/4/26【愛普今年拚賺一股本】
2016/4/26【 力晶轉投資 愛普5月將上市 】
2016/4/20【公告子公司Global Powertec CO., LTD.減資事宜】
2016/3/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I525626專利】
2016/3/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I525752專利】
2016/3/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I517166專利】
2016/3/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I517579專利】
2016/3/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I517247專利】

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