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公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I517307專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:垂直式無電容DRAM 記憶胞、DRAM 陣列及其操作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/01/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$58,8004.其他應敘明事項:一種垂直式無電容DRAM 記憶胞，包括：第一導電型的源極層、設置於源極層上的第二導電型的儲存層、設置於儲存層上的第一導電型的主動層、設置於主動層上的第二導電型的汲極層、設置於主動層旁且以第一閘介電層與主動層相隔的位址閘，以及設置於儲存層旁且以第二閘介電層與儲存層相隔的儲存閘。要寫入此記憶胞時，可開啟由儲存層、主動層、汲極層、第一閘介電層及位址閘所形成之MOSFET，將載子自汲極層經主動層注入儲存層。<摘錄公開資訊觀測站>

2016/3/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I517166專利】
2016/3/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I517579專利】
2016/3/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I517247專利】
2016/3/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I517307專利】
2016/3/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I517168專利】
2016/3/28【公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I525961專利】
2016/3/28【半導體紅潮 恐捲走人才】
2016/3/10【頎邦 訂單看到Q2底 】
2016/1/25【公告更正本公司之子公司鉅晶電子股份有限公司104年 10月、11月及】
2016/1/21【未足額進用身心障礙者 華碩、力晶、高鐵並列第一】
2016/1/21【力晶、綠點，兩案一樣嗎？ 】
2015/12/31【公告本公司取得美國專利局核發US 9190158專利】
2015/12/31【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1838573專】
2015/12/31【公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1838469專】

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